Transistoren
C1815 (2SC1815) NPN Transistor 0.15A 50V. Dieser Transistor ist sehr rauscharm und daher für Audioanwednung hervorragend geeignet.Modell: 2SC1815Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.15A, 50V, 0.4WVerstärkung: B/hFE 100-200Gerenzfrequenz: 80MHzRauschzahl: 1.0dBGehäusebauform: TO-92Anschluss: E-C-BAequivalent: Ersetzt 2SC3198 (1:1 Aequivalent)Bei disen Transistoren gibt es ausgesuchte Typen, die eine garantierte Verstärkung aufweisen.Die haben hinter der Nummer noch Buchstaben die die Verstärkung angeben: Z.B. 2SC1815GEs gibt folgende Verstärkungscodes:* O : hFE 70 140* Y : hFE 120 240 (Y oder ohne Code/Bezeichnung)* G : hFE 200 400* L : hFE 350 700
2SA1015 PNP Transistor 0.15A 50VModell: 2SA1015Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.15A, 50V, 0.4WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E
BC327 PNP Transistor 0.8A 45VModell: BC327Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.8A, 45V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-400Geschwindigkeit: 260MHzGehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E
BC547 NPN Transistor 0.1A 40VModell: BC547CHersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.1A, 40V, 0.5WVerstärkung: B/HFe 420-800Geschwindigkeit: 300MHzGehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E
2N2222 NPN Transistor 0.6A 40VModell: 2N2222Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.6A, 40V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E
BC337 NPN Transistor 0.8A 45VModell: BC337Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.8A, 45V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E
S8050 NPN Transistor 0.5A 40VModell: S8050Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.5A, 40V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-150Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C
TIP3055 Transistor, NPN, 15A, 100V, 90W, FET, TO247 Power TransistorModell: TIP3055Hersteller: ChinaTyp: NPN TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPN Komplementär Typ: TIP2955 S83389 Daten max.: 15A, 100V, 90WVerstärkung: hFE 20-70Gehäusebauform: TO-247Anschluss: B-C-E
Lochrasterplatine 20x80mm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungMaterial: Epoxyd FR4Stärke: 1.5mmKontakte: 168Rastermass: 2.54mmBohrungen: 1.0mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen CU:35um heissverzinntGrösse: 20x80mmSpezial: Die Lötaugen sind durchkontaktiert und Beidseitig verzinnt
2N3904 NPN Transistor 0.2A 60VModell: 2N3904Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.2A, 60V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C
MPSA13 NPN Darlington Transistor 0.5A 0.6W - Durch die Darlington Architektur ist der Transistor speziell geeignet um maximale Verstärkung zu erreichen, wie das z.B. bei Rundfunkempfänger verwendet wird. Modell: MPSA13Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.5A, 0.6W 30VVerstärkung: B/HFe >5'000Geschwindigkeit: 125MHzGehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C
IRF 840N MOSFET, 8A, 500V, 0.85 Ohm, FET, TO220 TransistorModell: IRF840NHersteller: ChinaTyp: FET TransistorEinsatz: Elektronische Schaltung, Schaltnetzteile SMPSAufbau: N-Kanal FETDaten max.: 8A, 500V, 125WKapazität: 1.3nFGehäusebauform: TO-220ABT-On / T-Off: 14nS / 49nSF-Max: naAnschluss: G-D-S
BD135 NPN Transistor 1.5A 45VWir liefern gegebenen Falles BD139 (Absolut identisch nur für höhere Maximale Spannung zugelassen)Modell: BD135Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 1.5A, 45V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Wärmewiderstand: 10 mW/CGehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-BKompatibilität: Anstelle des DB135, kann auch ein DB136 oder DB139 verwendet werdenDB135 max 45 VoltDB136 max 60 VoltDB139 max 80 Volt
FQPF10N60C MOSFET, 9.5A, 600V, 0.73 Ohm, FET, TO220 TransistorModell: FQPF10N60C Hersteller: ChinaTyp: FET TransistorEinsatz: Elektronische Schaltung, Schaltnetzteile SMPSAufbau: N-Kanal FETDaten max.: 9.5A, 600V, 50WKapazität: 1570pFGehäusebauform: TO-220ABT-On / T-Off: 23nS / 144nSF-Max: naAnschluss: G-D-S
Kühlkörper TO-220 9.9K/WModell: KühlkörperHersteller: ChinaTyp: KühlkörperEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: Aluminium schwarz EloxiertWärmewiderstand 9.9K/WGehäusebauform: TO-220Grösse: 28x22x38 (BxTxH)
Lochrasterplatine 40x60mm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungMaterial: Epoxyd FR4Stärke: 1.5mmKontakte: 280Rastermass: 2.54mmBohrungen: 1.0mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen CU:35um heissverzinntGrösse: 40x60mmSpezial: Die Lötaugen sind durchkontaktiert und Beidseitig verzinnt
Die V1 ist ein Hochleistungs-Wärmeleitpaste welche die heutigen Anforderungen der Mainstream-CPU-und Transistoren Kühlung erfüllt. Mit seiner niedrigen thermischen Impedanz und der angepassten Viskosität, kann die V1 eine sehr effiziente Wärmeübertragung liefern und dabei leicht und gleichmässig verteilt werden. Hohe thermische Leitfähigkeit, Geringer thermischer Widerstand, Elektrisch nicht-leitendTechnische Daten:• Produkt : CPU / Transistor Wärme Leitpaste• Hersteller: diverse / Binyeae• Gruppe: PC Komponenten / Elektronik• Einsatz: Maximale Wärme Ableitung bei Prozessoren und Transistoren• Farbe: grau• Material: HY510• Einsatztemperatur: -30°C bis +280°C• Thermische Leitfähigkeit: > 1.93 (W/m-K)• Thermischer Widerstand: <0.225 C-W/Inch2• Elektrischer Widerstand: 1GR/mm• Schutz: Korrosionsschutz, minimale Kapazität• Zusamensetzung: 50% Silikonverbindungen, 30% Kohlenstoffverbindungen, 20% Metalloxyd Verbindungen
Photowiderstand LDR CDS 5mmModell: LDR-CDS PGM5526Hersteller: ChinaHerstellernummer: PGM5526Typ: PhotowiderstandEinsatz: Licht Sensor, Lichtabhängiger WiderstandWiderstand: Licht-Widerstand (10 Lux) 8-20kOhm, dunkler Widerstand 1.0MOhmSpannungsfestigkeit: max. 150V DCBelastbarkeit: max. 100mWKopf: 5mmSpektralfarbe: Mitte 540nmGeschwindigkeit: 20-30mSek.Bedrahtet: ja >50mm, Drahtdurchmesser 0.8mm
Audio Mini Verstärker Schema 2x0.3W, der Artikel beinhaltet nur das Schema ohne Teile. Daher ist der Artikel auch kostenlos. Dieser kann selber ausgedruckt werden.Materialliste:R1 = 39kRR2 = 82kRR3 = 15kR R4 = 2.2kRC1 = 10uF 16VC2 = 470uF 16VC3 = 100uF 16VD1,D2 = 1N4148T1 = BC547T2 = BC337T3 = BC327LS1 = Lautsprecher 8R 0.5W
Isolations Einsatz M3 für TO-3 TO-220 TO-247 für Transistoren 10 Stk.Modell: Isolation-M3-TransistorHersteller: ChinaTyp: Isolation-M3 Einsatz: Transostoren mit TO-220 TO-247 TO-3 GehäuseMontage: M3Material: NylonFarbe: weissTemperaturbereich: -40°C bis +85+C
Isolations Pads Glimmer TO-247 TO-220 Transistoren 29x22 2 Stk.Modell: Isolation-TO247Hersteller: ChinaTyp: Isolation-TO-247Einsatz: Transostoren mit TO-247 GehäuseMontage: ZwischenlageMaterial: Glimmer (Aluminiumsilikat mit Kalium)Dicke: 0.12mmMontage: M3 und WärmeleitpasteSpannungsfestigkeit: 2.5kV getestet auf 5kVThermischer Widerstand: <0.5°K/WMenge: 2Farbe: durchsichtigTemperaturbereich: -40°C bis +800°CWärmeleitpast: ohne, bitte separat bestellenDas Foto zeigt ev. Kunststoff Pads, bei diesem Artikel handelt es sich durchsichtige Glimmer Pads
Wechselblinker LED Schema, der Artikel beinhaltet nur das Schema ohne Teile. Daher ist der Artikel auch kostenlos. Dieser kann selber ausgedruckt werden.Frequenz: f=1/(1.4*100*0.01)=0.7Hz(t1=0.7*R2*C1 & => t2=0.7*R3*C2)Schaltschema und Teile Liste:R1,R4 S82201 1k (braun, schwarz, rot - Gold)R2,R3 S82203 100k (braun, schwarz, gelb - Gold)C1,C2 S82204 10uF 16V liegend (Ring ist der + Pol)D1,D2 S81924 LED 5mm (Polarisierung siehe Schema)T1,T2 S80310 BC547C (Anschluss siehe Schema)K1 S81618 2-Pol Klemme zum SchraubenDH1,2 S82206 Distanzhülse Kunststoff 5mm für LEDsPLT0324 S80637 Platine/Bausatz 40x40mm MMD0324Ba1 S82205 9V Batterie-Klemme mit 8cm Kabel Anleit. S80637 Bauanleitung und Info Blatt 1xA4 (auf A5) Anleitung: https://dock.citysun.ch/S80637-C-Wechsel-Blinker-MMD0324-A5.pdf
TIP142 NPN Transistor 10A 100V 125W DarlingtonModell: TIP142Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 10A, 100V, 125WVerstärkung: B/HFe >1000Gehäusebauform: TO-247Anschluss: E-C-B
Steckernetzteil 12V 1.0A in Gehäuse zur Montage. Geeignet für 12V DC Lasten mit 12V bis 12W z.B. LED Streifen oder Lüfter.Modell: Netzteil-12VHersteller: DiverseKategorie: NetzteilAnwendung: Stromversorgung von Kleingeräten z.B. LED-Streifen, Elektronik und LüfterAnschluss: Kabelklemmen Ausgang: 12V 1.0Amp (12W)Wirkungsgrad: >85%Ausführung: mit KabelklemmenEingangsspannung: 100-240V-ACSchutzklasse: Schutzklasse-II voll isoliertLast-Art: Für Ohmsche Lasten ausgelegt (Nicht für Induktive lasten wie Motoren geeignet)Kurzschlussfest: Ja Überlastfest: JaFarbe: beigeGrösse: 8.5x4.1x2.2cm