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Netzteil Brücken-Gleichrichter 35A 1'000V Metallgehäuse
Brücken-Gleichrichter 35A 1'000V Metallgehäuse. Geeignet für Gleichrichter.technische Daten:Modell: KBPC3510Hersteller: ChinaTyp: Brückengleichrichter Einsatz: Für AC-Netzteile Halbleitermaterial: SiliziumSpannungsfestigkeit: 1'000VDC (700VAC)Strombelastung: max 35ADioden-Spannung: 1.2VKühlung: Montage auf Kühlkörper Montage: Bohrung 4.9mmGrösse: 29x29x11(26)mm

7,20 CHF*
BC337 NPN Transistor 0.8A 45V
BC337 NPN Transistor 0.8A 45VModell: BC337Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.8A, 45V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E

0,10 CHF*
1N914 0.2A 100V Diode DO-35 Signal-Diode
1N914 0.2A 100V Diode DO35 Klein Signal DiodeDie Diode 1N914 wird durch die 1N4148 ersetzt (Die 1N4148 hat einen deutlich geringeren Sperrstrom/Leckstrom)Modell: 1N914Hersteller: ChinaTyp: DiodeEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNDaten max.: 0.2A 100VGehäusebauform: DO-35Anschluss: bedrahtetGeschwindigkeit: 4nSSperrstrom: <5uA

0,09 CHF*
2N2907 PNP Transistor 0.6A 60V
2N2907 PNP Transistor 0.6A 60VModell: 2N2907Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.6A, 60V, 0.5WVerstärkung: B/HFe 100-300Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

0,10 CHF*
BD140 PNP Transistor 1.5A 80V
BD140 PNP Transistor 1.5A 90VModell: BD140Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 1.5A, 90V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-B

0,95 CHF*
S8050 NPN Transistor 0.5A 40V
S8050 NPN Transistor 0.5A 40VModell: S8050Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.5A, 40V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-150Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

0,10 CHF*
MPSA44 NPN Transistor 0.3A 400V 0.6W Hochspannung Nixie
MPSA44 NPN Transistor 0.3A 400V 0.6W Hochspannungstransistor zum Beispiel für die Ansteuerung von Nixie RöhrenModell: MPSA44Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.3A, 400V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 40Geschwindigkeit: 50MHzGehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

0,19 CHF*
2N2222 NPN Transistor 0.6A 40V
2N2222 NPN Transistor 0.6A 40VModell: 2N2222Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.6A, 40V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E

0,10 CHF*
BC327 PNP Transistor 0.8A 45V
BC327 PNP Transistor 0.8A 45VModell: BC327Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.8A, 45V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E

0,10 CHF*
2N3906 PNP Transistor 0.2A 60V
2N3906 PNP Transistor 0.2A 60VModell: 2N3904Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.2A, 60V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

0,10 CHF*
Lochrasterplatine 100x1600mm Epoxyd FR4
Lochrasterplatine 100x160mm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungMaterial: Epoxyd FR4Stärke: 1.5mmRastermass: 2.54mmBohrungen: 1.0mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen CU:35um heissverzinntGrösse: 100x160mm, 0.12kgSpezial: Beidseitig je 2 Leiterbahnen durchgehend für GND/VCC, Anschluss für Steckverbinder DIN 32/48Polig

12,00 CHF*
Endschalter Schalter Microschalter KW12-3
Endschalter Schalter Microschalter KW12-3Typ: Micro-EndschalterHersteller: ChinaEinsatz: Endschalter für mechanische AntriebeSpannungsfestigkeit: 48VDC (125VAC)Strom: max. 5 Amp.Kontakt: NC/NO (Schliesser / Öffner)Grösse: 20x10x6mmBedrahtet: ja 5mm, Löt-Ösen, Drahtdurchmesser 0.8mmGrösse: 18x8x18mm  4.5g

1,25 CHF*
BD139 NPN Transistor 1.5A 80V
BD139 NPN Transistor 1.5A 80VModell: BD139Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 1.5A, 80V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-B

0,95 CHF*
Wärmeleitpaste für CPU und Transistoren 30g HY510
Die V1 ist ein Hochleistungs-Wärmeleitpaste welche die heutigen Anforderungen der Mainstream-CPU-und Transistoren Kühlung erfüllt. Mit seiner niedrigen thermischen Impedanz und der angepassten Viskosität, kann die V1 eine sehr effiziente Wärmeübertragung liefern und dabei leicht und gleichmässig verteilt werden. Hohe thermische Leitfähigkeit, Geringer thermischer Widerstand, Elektrisch nicht-leitendTechnische Daten:Modell: CPU / Transistor Wärme LeitpasteHersteller: diverseTyp: PC KomponentenEinsatz: Maximale Wärme Ableitung bei Prozessoren und TransistorenFarbe: weissThermische Leitfähigkeit: > 1.93 (W/m-K)Thermischer Widerstand: <0.225 C-In2/WElektrischer Widerstand: 1GR/mmSchutz: Korrosionsschutz, minimale Kapazität

19,00 CHF*
BD136 PNP Transistor 1.5A 45V
BD136 PNP Transistor 1.5A 45VModell: BD136Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 1.5A, 45V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-B

0,85 CHF*
Steckbrett für elektronische Schaltungen Prototypboard MB-102
Steckbrett für elektronische SchaltungenModell: MB-102Hersteller: ChinaTyp: PrototypboardRaster: 2.54mmEinsatz: Zum erstellen und testen von elektronischen SchaltungenKontakte: 830 zum Stecken, für Drähte 0.3-0.8mmAbmessungen: 16.5x5.5cm

9,00 CHF*
C1815 NPN Transistor 0.15A 50V
C1815 NPN Transistor 0.15A 50VModell: C1815Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.15A, 50V, 0.4WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E

0,10 CHF*
Neu
Audio Mini Verstärker Schema 2x0.3W
Audio Mini Verstärker Schema 2x0.3W, der Artikel beinhaltet nur das Schema ohne Teile. Daher ist der Artikel auch kostenlos. Dieser kann selber ausgedruckt werden.Materialliste:R1 = 39kRR2 = 82kRR3 = 15kR R4 = 2.2kRC1 = 10uF 16VC2 = 470uF 16VC3 = 100uF 16VD1,D2 = 1N4148T1 = BC547T2 = BC337T3 = BC327LS1 = Lautsprecher 8R 0.5W

0,00 CHF*
A1015 PNP Transistor 0.15A 50V
2SA1015 PNP Transistor 0.15A 50VModell: 2SA1015Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.15A, 50V, 0.4WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E

0,10 CHF*
S8550 PNP Transistor 0.5A 40V
S8050 PNP Transistor 0.5A 40VModell: S8050Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.5A, 40V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-150Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

0,10 CHF*
1N4148 0.2A 100V Diode DO-35 Signal-Diode
1N4148 0.2A 100V Diode DO35 klein Signal DiodeModell: 1N4148Hersteller: ChinaTyp: DiodeEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNDaten max.: 0.2A 100VVorwärtsspannung: 1.0VGehäusebauform: DO-35Anschluss: bedrahtetGeschwindigkeit: 4nSKapazität: 4pFSperrstrom: <25nA

0,06 CHF*
BD135 NPN Transistor 1.5A 45V
BD135 NPN Transistor 1.5A 45VModell: BD135Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 1.5A, 45V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-B

0,85 CHF*
1N4007 1A 1000V Diode DO-41 Gleichrichter Dioden
1N4007 1A 1000V Diode DO41 Gleichrichter DiodenModell: 1N4007Hersteller: ChinaTyp: DiodeEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNDaten max.: 1.0A 1000VGeschwindigkeit: Vorwärts Spannung: 1.1VRückwärtsstrom: 5uAPulsstrom: 30A 8.3mS 1/2 SinusGehäusebauform: DO-41Anschluss: bedrahtet

0,06 CHF*
Photowiderstand LDR CDS 5mm
Photowiderstand LDR CDS 5mmModell: LDR-CDSHersteller: ChinaTyp: PhotowiderstandEinsatz: Licht Sensor, Lichtabhängiger WiderstandWiderstand: Licht-Widerstand (10 Lux) 5-10Ohm, dunkler Widerstand >0.5MOhmSpannungsfestigkeit: max. 150V DCBelastbarkeit:  max. 100mWKopf: 5mmSpektralfarbe: Mitte 540nmGeschwindigkeit: 20-30mSek.Bedrahtet: ja >50mm, Drahtdurchmesser 0.8mm

2,00 CHF*