Transistoren

Lochrasterplatine 70x90mm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungMaterial: Epoxyd FR4Stärke: 1.5mmKontakte: 806Rastermass: 2.54mmBohrungen: 1.0mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen CU:35um heissverzinntGrösse: 70x90mmSpezial: Die Lötaugen sind durchkontaktiert und Beidseitig verzinnt

BD139 NPN Transistor 1.5A 80VModell: BD139Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 1.5A, 80V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Komplementär Typ: PNP BD136Gehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-B

BD140 PNP Transistor 1.5A 90VModell: BD140Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 1.5A, 90V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-B

BT136 Triac 600V 4A TO220Modell: BT136-600Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: TriacDaten max.: 600V, 4.0Amp, Gate: 5mA 1.4VGehäusebauform: TO-220Anschluss: T1-T2-G

FQPF4N60C MOSFET, 2.6A, 600V, 2.2 Ohm, FET, TO220 TransistorModell: FQPF4N60C Hersteller: ChinaTyp: FET TransistorEinsatz: Elektronische Schaltung, Schaltnetzteile SMPSAufbau: N-Kanal FETDaten max.: 2.6A, 600V, 36WKapazität: 520pFGehäusebauform: TO-220ABT-On / T-Off: 13nS / 25nSF-Max: naAnschluss: G-D-S

TIP2955 Transistor, PNP, 15A, 100V, 90W, TO247 Power TransistorModell: TIP2955Hersteller: ChinaTyp: NPN TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPKomplementär Typ: TIP3055 S83314  Daten max.: 15A, 100V, 90WVerstärkung: hFE 20-70Gehäusebauform: TO-247Anschluss: B-C-E

Isolations Pads TO-3 Transistoren 2 Stk.Modell: Isolation-M3-TransistorHersteller: ChinaTyp: Isolation-TO-3Einsatz: Transostoren mit TO-3 GehäuseMontage: ZwischenlageMaterial: SilikonverbindungFarbe: hellblauMenge: 2Temperaturbereich: -40°C bis +105°CWärmeleitpast: ohne, bitte separat bestellen

2N3055 Transistor, NPN, 15A, 100V, 90W, FET, TO-3 Power TransistorDer legndäre 3055 der seit 1960 Massstäb setztModell: 2N3055Hersteller: ChinaTyp: NPN TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPN Komplementär Typ: na Kollektor-Strom: max. 15ASpannung C-E: 60V und max. 100VLeistung: 90W max 115WFrequenz: 0 bis 2.5MHzVerstärkung: hFE 20-70Gehäusebauform: TO-3Bohrungen: 4.0mmAnschluss: B-C-EGewicht: 11.7g

Isolations Pads TO-247 TO-220 Transistoren 26x20 2 Stk.Modell: Isolation-TO247Hersteller: ChinaTyp: Isolation-TO-247Einsatz: Transostoren mit TO-247 GehäuseMontage: ZwischenlageMaterial: SilikonverbindungMenge: 2Farbe: hellgrau / HellblauTemperaturbereich: -40°C bis +105°CWärmeleitpast: ohne, bitte separat bestellen

MJ15003 Transistor, NPN, 20A, 140V, 250W, TO3 Power Transistor 2N3055Der MJ15003 ist der Nachfolger zum legndären 3055 der seit 1960 Massstäb setztDer MJ15003 kann 1:1 den 2N3055 ersetzen und ist stabiler, leistungsfähiger und schnellerUnd die Linearität vom MJ15003 ist deutlich besser als beim 2N3055Modell: MJ15003Hersteller: ChinaTyp: NPN TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPN Komplementär Typ: na Kollektor-Strom: max. 20ASpannung C-E: 100V und max. 140VLeistung: 200W max 250WFrequenz: 0 bis 2.5MHzVerstärkung: hFE 25-150Gehäusebauform: TO-3Bohrungen: 4.0mmAnschluss: B-C-EGewicht: 11.7g

2N3906 PNP Transistor 0.2A 60VModell: 2N3904Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.2A, 60V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-200Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

Lochrasterplatine 50x70mm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungMaterial: Epoxyd FR4Stärke: 1.5mmKontakte: 432Rastermass: 2.54mmBohrungen: 1.0mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen CU:35um heissverzinntGrösse: 50x70mmSpezial: Die Lötaugen sind durchkontaktiert und Beidseitig verzinnt

BD136 PNP Transistor 1.5A 45VWir liefern gegebenen Falles BD140 (Absolut identisch nur für höhere Maximale Spannung zugelassen)Modell: BD136Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 1.5A, 45V, 12.5WVerstärkung: B/HFe 100-200Wärmewiderstand: 10 mW/C Komplementär Typ: NPN BD139Gehäusebauform: TO-126Anschluss: E-C-BKompatibilität: Anstelle des DB136, kann auch ein DB137 oder DB140 verwendet werdenDB136 max -45 VoltDB137 max -60 VoltDB140 max -80 Volt

Lochrasterplatine 100x160mm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungMaterial: Epoxyd FR4Stärke: 1.5mmRastermass: 2.54mmBohrungen: 1.0mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen CU:35um heissverzinntGrösse: 100x160mm, 0.12kgSpezial: Beidseitig je 2 Leiterbahnen durchgehend für GND/VCC, Anschluss für Steckverbinder DIN 32/48Polig

MPSA44 NPN Transistor 0.3A 400V 0.6W Hochspannungstransistor zum Beispiel für die Ansteuerung von Nixie RöhrenModell: MPSA44Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNDaten max.: 0.3A, 400V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 40Geschwindigkeit: 50MHzGehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

TIP147 PNP Transistor 10A 100V 125W DarlingtonModell: TIP147Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 10A, 100V, 125WVerstärkung: B/HFe >1000Gehäusebauform: TO-247Anschluss: E-C-B

Lochrasterplatine 5x7cm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungAufbau: NPNMaterial: Perinax (Hartpapier)Stärke: 1.2mmRastermass: 2.54mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen 35um Grösse: 7x5cm, 0.12kg

Lochrasterplatine 30x70mm zum erstellen von Prototypen auf der PlatineModell: LochrasterplatineHersteller: ChinaTyp: Einsatz: Elektronische SchaltungMaterial: Epoxyd FR4Stärke: 1.5mmKontakte: 240Rastermass: 2.54mmBohrungen: 1.0mmBeschichtung: Kupfer Löt-Augen CU:35um heissverzinntGrösse: 30x70mmSpezial: Die Lötaugen sind durchkontaktiert und Beidseitig verzinnt

BC557 PNP Transistor 0.1A 45VModell: BC557Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.1A, 45V, 0.5WVerstärkung: B/HFe 200-400Gehäusebauform: TO-92Anschluss: C-B-E

Aufwärts Ringkern Spannungswandler LED Schema, der Artikel beinhaltet nur das Schema ohne Teile. Daher ist der Artikel auch kostenlos. Dieser kann selber ausgedruckt werden. Es kann ein beliebiger Ferrit Kern verwendet werden (Ring oder Stab) keine Eisenpulver Kerne.Die Schaltung ermöglicht den Betrieb von weissen LEDs mit ca. 3.0V (1.4-5.0V) mit einer 1.5V oder 1.2V Batterie Zelle.  Teileliste: R1  = 1kR (rot, schwarz, braun)T1 = BC547C (oder jeder Kleinsignal NPN Transistor)  S80310L1 = Ring-Kern Ferrit 20-30mm, mit 2x20 Windungen 0.15-0.5mm2 isoliertem Draht bewickeln          für Isolierdraht passt ein 25mm Ring aus N27 / N30 Ferrit S82131  der ein Stab Ferrit          für Lackdraht passt ein 16mm Ring aus N27 / N30 Ferrit  S82129  / S82130 der ein Stab FerritLD = Spulen Draht 0.15mm2 bis 0.5mm2, 2x70cm lang (bei 6mm Ferrit Material Dicke),          Isolierdraht in unterschiedlichen Farben, Elektronik Draht oder Litze isoliertLED1 = LED 3mm oder 5mm (Farben nach Wunsch) z.B. weiss  S81931Stromversorgung: 0.9-2.0VDC (z.B. 1.5V AAA Batterie oder 1.2V AAA Akku)Es können auch mehrere LED's in Serie geschaltet werden.Mit einem 30mm N27 Ring-Kern und 0.5mm2 isoliertem Elektronik Draht - läuft der Schwingkreis mit ca. 45kHz- Ist ein Wirkungsgrad von 80-90% zu erreichenGeschichte zur Schaltung:In der Zeitschrift Everyday Practical Electronics (EPE) wurde in der Ausgabe vom November 1999, in der Rubrik Ideen von Lesern, eine Schaltung unter dem Titel Micro-torch Circuit veröffentlicht.Clive Mitchell baute die Schaltung mit einer weissen Leuchtdiode auf, undnannte sie Joule thief (deutsch Joule-Dieb oder Energiedieb). Der Begriff "Joule thief" wird seither für ähnliche Schaltungen verwendet.Funktionsweise: Die Schaltung arbeitet als ungeregelter Aufwärtswandlermit der Selbstschwingcharakteristik eines Sperrschwingers. Die (weise) LEDhat eine Durchlassspannung von etwa 3V, leitet unmittelbar nach dem Einschalten mit 1.2-1.5V nicht. Der Transistor verbindet die Spule zyklisch mit derVersorgungsspannung, wodurch in dieser magnetische Energie gespeichertwird. Diese Energie induziert während der Sperrphase eine höhere Spannung,wodurch ein Stromfluss durch die Leuchtdiode ermöglicht und die gespeicherteEnergie abgebaut wird.Stichworte: step-up-Wandler, Joule Thief, DC-DC, Boost Converter

IRF 540N MOSFET, 33A, 100V, 0.044 Ohm, FET, TransistorModell: IRF540NHersteller: ChinaTyp: FET TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: N-Kanal FETDaten max.: 33A, 100V, 130WGehäusebauform: TO-220ABT-On / T-Off: 11nS / 11nSF-Max: 2MHz Anschluss: G-D-S

S8050 PNP Transistor 0.5A 40VModell: S8050Hersteller: ChinaTyp: TransistorEinsatz: Elektronische SchaltungAufbau: PNPDaten max.: 0.5A, 40V, 0.6WVerstärkung: B/HFe 100-150Gehäusebauform: TO-92Anschluss: E-B-C

Netzteil 12V 4.17A 50W für in Gehäuse zur Montage. Geeignet für 12V DC Lasten mit 12V bis 50W z.B. LED Streifen oder Lüfter.Modell: Netzteil-12VHersteller: DiverseKategorie: NetzteilAnwendung: Stromversorgung von Kleingeräten z.B. LED-Streifen, Elektronik und LüfterAnschluss: Kabelklemmen (Schraubklemmen)Ausgang: 12V 4.17Amp (50W) Mindestlast 1WattWirkungsgrad: >85%Ausführung: mit KabelklemmenEingangsspannung: 200-240V-ACSchutzklasse:  Schutzklasse-II voll isoliertLast-Art: Für Ohmsche Lasten ausgelegt (Nicht für Induktive Lasten wie Motoren geeignet)Kurzschlussfest: Ja Überlastfest: JaSchutzart: IP20Ausführung: Extra flach 22mmEinsatz: LED Netzteil, Netzteil diverse Applikationen, mit Möbeleinbau ZulassungKlemmen: Eingang und Ausgang bis 0.75 mm²Farbe: beigeGrösse: 185x64x22mm

Steckbrett für elektronische SchaltungenModell: MB-102Hersteller: ChinaTyp: PrototypboardRaster: 2.54mmEinsatz: Zum erstellen und testen von elektronischen SchaltungenKontakte: 830 zum Stecken, für Drähte 0.3-0.8mmAbmessungen: 16.5x5.5cm